ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

はじめに注意事項を必ずお読みください
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高周波信号などの大容量・高速伝送に対応する多層基板材料。
低誘電率・低誘電正接に加え高耐熱性、高信頼性を有し、鉛フリーはんだにも対応します。

ラインアップ(伝送損失比較)

ラインアップ(伝送損失比較)

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 MEGTRON7
R-5785(N)
MEGTRON6 MEGTRON4
R-5725
MEGTRON4S
R-5725S
MEGTRON M
R-5735
MEGTRON2
R-1577
HIPER V
R-1755V
R-5775(N) R-5775
ガラス転移温度(Tg) DSC A °C 200 185 185 176 200 195 170 173
熱分解温度(Td) TGA A °C 400 410 410 360 360 360 380 350
熱膨張係数
(タテ方向)
α1 IPC-TM-650
2.4.24
A ppm/°C 14-16 14-16 14-16 12-14 12-14 12-15 14-16 11-13
熱膨張係数
(ヨコ方向)
14-16 14-16 14-16 13-15 13-15 12-15 14-16 13-15
熱膨張係数
(厚さ方向)
α1 IPC-TM-650
2.4.24
A 42 45 45 35 32 31 34 44
α2 280 260 260 265 250 240 200 255
T288(銅付) IPC-TM-650
2.4.24.1
A >120 >120 >120 30 50 35 25 20
比誘電率(Dk) 1GHz IPC-TM-650
2.5.5.9
C-24/23/50 3.4 3.4 3.7 3.8 3.8 3.9 4.1 4.4
誘電正接(Df) 0.001 0.002 0.002 0.005 0.005 0.005 0.010 0.016
吸水率 IPC-TM-650
2.6.2.1
A % 0.06 0.14 0.14 0.14 0.14 0.14 0.14 0.12
曲げ弾性率 ヨコ方向 JIS C 6481 A GPa 18 18 19 23 23 24 23 22
銅箔引き剥
がし強さ
1oz(35μm) IPC-TM-650
2.4.8
A kN/m 0.8 0.8 0.8 1.1 1.3 1.2 1.3 1.5

MEGTRON7, MEGTRON6の試験片の厚さは0.75mmです。その他の試験片の厚さは0.8mmです。
※MEGTRON7, MEGTRON6はH-VLP銅箔、MEGTRON4, MEGTRON4S, MEGTRON MはRT銅箔、MEGTRON2, HIPER VはST銅箔。

当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、 塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。