ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

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高周波信号などの大容量・高速伝送に対応する多層基板材料。
低誘電率・低誘電正接に加え高耐熱性、高信頼性を有しています。

ラインアップ(伝送損失比較)

ラインアップ(伝送損失比較)

一般特性

項  目 ガラス転移
温度
(Tg)
熱膨張係数
(厚さ方向)
T288(銅付) 比誘電率
(Dk)
誘電正接
(Df)
銅箔引き
剥がし強さ
α1 α2 1GHz 1oz (35μm)
試験方法 DSC IPC-TM-650
2.4.24
IPC-TM-650
2.4.24.1
IPC-TM-650
2.5.5.9
IPC-TM-650
2.4.8
条  件 A A A C-24/23/50 A
単  位 °C ppm/°C kN/m
MEGTRON7 R-5785(N) 200  42 280 >120 3.4 0.001 0.8
(H-VLP銅箔)
R-5785(GN) 200  42 280 >120 3.4 0.001 0.8
(H-VLP2銅箔)
R-5785(GE) 200  42 280 >120 3.6 0.002 0.8
(H-VLP2銅箔)
R-5785(R) 200  42 280 >120 3.4 0.001 0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
Halogen-free
MEGTRON6
R-5375(N) 250¹  39 200 >120 3.4 0.001 0.6
(H-VLP2銅箔)
R-5375(E) 250¹  39 200 >120 3.7 0.002 0.6
(H-VLP2銅箔)
MEGTRON6 R-5775(N) 185  45 260 >120 3.4 0.002 0.8
(H-VLP銅箔)
R-5775(K)
R-5775(G)
185  45 260 >120 3.7 0.002 0.8
(H-VLP銅箔)
R-5775(S) 185  45 260 >120 3.4 0.002 0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
R-5775(R) 185  45 260 >120 3.7 0.002 0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
MEGTRON4 R-5725 176  35 265 30 3.8 0.005 1.1
(RT銅箔)
MEGTRON4S R-5725S 200  32 250 50 3.8 0.005 1.3
(RT銅箔)
MEGTRON M R-5735 195  31 240 35 3.9 0.005 1.2
(RT銅箔)
MEGTRON2 R-1577 170  34 200 25 4.1 0.010 1.3
(ST銅箔)
HIPER V R-1755V 173  44 255 20 4.4 0.016 1.5
(ST銅箔)

MEGTRON7, MEGTRON6, Halogen-free MEGTRON6の試験片の厚さは0.75mmです。その他の試験片の厚さは0.8mmです。
※1 試験方法:DMA
※2 抵抗内蔵銅箔 1/2oz (18μm)

当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、 塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。