ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

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高周波信号などの大容量・高速伝送に対応する多層基板材料。
低誘電率・低誘電正接に加え高耐熱性、高信頼性を有しています。

商品紹介動画

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

ラインアップ(伝送損失比較)

ラインアップ(伝送損失比較)
伝送損失比較

一般特性

項  目ガラス転移
温度
(Tg)
熱膨張係数
(厚さ方向)
T288(銅付)比誘電率
(Dk)
誘電正接
(Df)
銅箔引き
剥がし強さ
α1α2@12-14GHz1oz (35μm)
試験方法DSCIPC-TM-650
2.4.24
IPC-TM-650
2.4.24.1
平衡型円板共振器法IPC-TM-650
2.4.8
条  件AAAC-24/23/50A
単  位°Cppm/°CkN/m
MEGTRON8SR-579YS(U)
R-5795S(U)
220¹ 35240>1203.19
[@14GHz]
0.0012
[@14GHz]
0.7
(H-VLP3銅箔)
R-579YS(N)
R-5795S(N)
220¹ 35240>1203.22
[@14GHz]
0.0015
[@14GHz]
0.7
(H-VLP3銅箔)
MEGTRON8R-579Y(U)
R-5795(U)
220¹ 50270>1203.08
[@14GHz]
0.0012
[@14GHz]
0.7
(H-VLP3銅箔)
R-579Y(N)
R-5795(N)
220¹ 50270>1203.13
[@14GHz]
0.0016
[@14GHz]
0.7
(H-VLP3銅箔)
MEGTRON7R-578Y(N)
R-5785(N)
200 42280>1203.31
[@14GHz]
0.0023
[@14GHz]
0.8
(H-VLP銅箔)
R-578Y(GN)
R-5785(GN)
200 42280>1203.31
[@14GHz]
0.0023
[@14GHz]
0.8
(H-VLP2銅箔)
R-578Y(GE)
R-5785(GE)
200 42280>1203.60
[@13GHz]
0.0034
[@13GHz]
0.8
(H-VLP2銅箔)
R-578Y(R)
R-5785(R)
200 42280>1203.31
[@14GHz]
0.0023
[@14GHz]
0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
MEGTRON6R-5775(N)185 45260>1203.34
[@13GHz]
0.0037
[@13GHz]
0.8
(H-VLP銅箔)
R-5775(K)
R-5775(G)
185 45260>1203.62
[@13GHz]
0.0046
[@13GHz]
0.8
(H-VLP銅箔)
R-5775(S)185 45260>1203.34
[@13GHz]
0.0037
[@13GHz]
0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
R-5775(R)185 45260>1203.62
[@13GHz]
0.0046
[@13GHz]
0.8²
(抵抗内蔵銅箔)
MEGTRON4R-5725176 35265303.68
[@13GHz]
0.0074
[@13GHz]
1.2
(ST銅箔)
MEGTRON4SR-5725S200 32250503.8
[@10GHz]³
0.007
[@10GHz]³
1.4
(ST銅箔)
MEGTRON MR-5735195 31240353.75
[@13GHz]
0.0087
[@13GHz]
1.3
(ST銅箔)
Halogen-free
MEGTRON2
R-1577170 34200254.0
[@10GHz]³
0.013
[@10GHz]³
1.3
(ST銅箔)

MEGTRON8, MEGTRON7, MEGTRON6, Halogen-free MEGTRON6の試験片の厚さは0.75mmです。その他の試験片の厚さは0.8mmです。
※1 試験方法:DMA
※2 抵抗内蔵銅箔 1/2oz (18μm)
※3 [@10GHz] 試験方法:IPC-TM-650 2.5.5.5

当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、 塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。