超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON6 | R-5775(N), R-5775(K), R-5775(G), R-5775(S), R-5775(R)

超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON6 R-5775(N), R-5775(K), R-5775(G), R-5775(S), R-5775(R)

 

  1. 超高性能サーバやルータ向け材料のデファクトスタンダード
  2. 低伝送ロスを実現し、超高性能サーバやルータの性能向上に貢献

電子回路基板材料

  • 品 番

低誘電率ガラスクロス

Laminate R-5775(N)
Prepreg R-5670(N)

一般ガラスクロス

Laminate R-5775(K)
Prepreg R-5670(K)

Laminate R-5775(G)
Prepreg R-5670(G)

抵抗内蔵銅箔仕様

低誘電率ガラスクロス

Laminate R-5775(S)

一般ガラスクロス

Laminate R-5775(R)

  • 用 途
  • 詳細用途
ネットワーク
エアロスペース
・ネットワーク
・ワイヤレス通信
・エアロスペース
ICTインフラ機器(スーパーコンピュータ、計測用機器)、アンテナ(基地局、車載ミリ波レーダ)、高周波用途、エアロスペースなど
品番末尾の( )カッコ内の文字は当社における識別区分であり、UL認証の登録をしている品番には含まれておりません。
サフィックス
宇宙曝露実験プロジェクト 特設サイト

主要特性

Dk 3.34 Df 0.0037
@13GHz
Tg(DSC)
185°C
T288(銅付)
>120分

商品紹介動画

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

伝送損失パフォーマンスランク(MEGTRONシリーズ)

伝送損失比較

伝送損失比較

高多層耐熱性

高多層耐熱性

誘電特性

誘電特性

抵抗内蔵銅箔仕様

抵抗内蔵銅箔仕様

一般特性

項目試験方法条件単位MEGTRON6
R-5775(N)
 低誘電率ガラスクロス 
MEGTRON6
R-5775(K)/R-5775(G)
 一般ガラスクロス 
ガラス転移温度(Tg)DSCA°C185185
熱膨張係数(厚さ方向)α1IPC-TM-650 2.4.24Appm/°C4545
α2260260
T288(銅付)IPC-TM-650 2.4.24.1A>120>120
比誘電率(Dk)13GHz平衡型円板共振器法C-24/23/503.343.62
誘電正接(Df)0.00370.0046
銅箔引き剥がし強さ1oz(35μm)IPC-TM-650 2.4.8AkN/m0.80.8

試験片の厚さは0.75mmです。
※ H-VLP銅箔

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。