超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON6 | R-5775(N), R-5775(K), R-5775(G), R-5775(S), R-5775(R)

超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON6 R-5775(N), R-5775(K), R-5775(G), R-5775(S), R-5775(R)

 

  1. 超高性能サーバやルータ向け材料のデファクトスタンダード
  2. 低伝送ロスを実現し、超高性能サーバやルータの性能向上に貢献

電子回路基板材料

  • 品　番

低誘電率ガラスクロス

Laminate R-5775(N)
Prepreg R-5670(N)

一般ガラスクロス

Laminate R-5775(K)
Prepreg R-5670(K)

 

Laminate R-5775(G)
Prepreg R-5670(G)

抵抗内蔵銅箔仕様

低誘電率ガラスクロス

Laminate R-5775(S)

一般ガラスクロス

Laminate R-5775(R)

  • 用　途
  • 詳細用途
ネットワーク
エアロスペース
・ネットワーク
・ワイヤレス通信
・エアロスペース
ICTインフラ機器(スーパーコンピュータ、計測用機器)、アンテナ(基地局、車載ミリ波レーダ)、高周波用途、エアロスペースなど

パナソニック 電子材料

主要特性

Dk 3.4 Df 0.004
@12GHz
Tg(DSC)
185°C
T288(銅付)
>120分

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

伝送損失パフォーマンスランク(MEGTRONシリーズ)

伝送損失比較

伝送損失比較

高多層耐熱性

高多層耐熱性

誘電特性

誘電特性

抵抗内蔵銅箔仕様

抵抗内蔵銅箔仕様

一般特性

 
項目 試験方法 条件 単位 MEGTRON6
R-5775(N)

低誘電率
ガラスクロス		 MEGTRON6
R-5775(K)
R-5775(G)
一般
ガラスクロス		 MEGTRON6
R-5775(S)

抵抗内蔵
銅箔仕様		 MEGTRON6
R-5775(R)

抵抗内蔵
銅箔仕様
ガラス転移温度(Tg) DSC A °C 185 185 185 185
熱膨張係数(厚さ方向) α1 IPC-TM-650 2.4.24 A ppm/°C 45 45 45 45
α2 260 260 260 260
T288(銅付) IPC-TM-650 2.4.24.1 A 分 >120 >120 >120 >120
比誘電率(Dk) 12GHz 平衡型円板共振器法 C-24/23/50 － 3.4 3.6 3.4 3.6
誘電正接(Df) 0.004 0.004 0.004 0.004
銅箔引き剥がし強さ※¹ 1oz(35μm) IPC-TM-650 2.4.8 A kN/m 0.8 0.8 0.8※² 0.8※²

試験片の厚さは0.75mmです。
※1 H-VLP銅箔
※2 抵抗内蔵銅箔 1/2oz (18μm)

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。