超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON7 | R-5785(N), R-5785(GN), R-5785(GE), R-5785(R)

超低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON7 R-5785(N), R-5785(GN), R-5785(GE), R-5785(R)

 

  1. 業界最高クラスの低誘電率・低誘電正接により大容量・高速伝送に対応し、大型高速サーバの性能向上に貢献
  2. 超高多層化・基板サイズの大型化に対応

電子回路基板材料

  • 品 番

低誘電率ガラスクロス

Laminate R-5785(N)
Prepreg R-5680(N)

低誘電率ガラスクロス / 加工性向上

Laminate R-5785(GN)
Prepreg R-5680(GN)

一般ガラスクロス / 加工性向上

Laminate R-5785(GE)
Prepreg R-5680(GE)

抵抗内蔵銅箔仕様

Laminate R-5785(R)

  • 用 途
  • 詳細用途
ネットワーク
エアロスペース
・ネットワーク
・ワイヤレス通信
・エアロスペース
ICTインフラ機器(スーパーコンピュータ、計測用機器)、アンテナ(基地局、車載ミリ波レーダ)、高周波用途、エアロスペースなど

主要特性

Dk 3.4 Df 0.002
@12GHz
Tg(DSC)
200℃
T288(銅付)
>120分

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

伝送損失パフォーマンスランク(MEGTRONシリーズ)

伝送損失比較

伝送損失比較

高多層耐熱性

高多層耐熱性

抵抗内蔵銅箔仕様

抵抗内蔵銅箔仕様

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 MEGTRON7
R-5785(N)
低誘電率
ガラスクロス
MEGTRON7
R-5785(GN)
低誘電率
ガラスクロス
MEGTRON7
R-5785(GE)
一般
ガラスクロス
MEGTRON7
R-5785(R)
抵抗内蔵
銅箔仕様
MEGTRON6
R-5775(N)
低誘電率
ガラスクロス
ガラス転移温度(Tg) DSC A °C 200 200 200 200 185
熱膨張係数(厚さ方向) α1 IPC-TM-650
2.4.24
A ppm/°C 42 42 42 42 45
α2 280 280 280 280 260
T288(銅付) IPC-TM-650
2.4.24.1
A >120 >120 >120 >120 >120
比誘電率(Dk) 12GHz 平衡型円板
共振器法
C-24/23/50 3.4 3.4 3.6 3.4 3.4
誘電正接(Df) 0.002 0.002 0.003 0.002 0.004
銅箔引き剥がし強さ¹ 1oz(35μm) IPC-TM-650
2.4.8
A kN/m 0.8 0.8 0.8 0.8² 0.8

試験片の厚さは0.75mmです。
※1 R-5785(GN),R-5785(GE)はH-VLP2銅箔、R-5785(N),R-5775(N)はH-VLP銅箔です。
※2 R-5785(R)は抵抗内蔵銅箔 1/2oz (18μm)です。

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。

関連情報