![低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON4S, MEGTRON4 R-5725S, R-5725](/content/data/EM/pictures/olimg_megtron4.jpg)
- 大容量データの伝送速度の高速化に対応
- 高多層や基板加工時のリフロー工程に対応した耐熱性を向上(MEGTRON4S)
商品紹介動画
伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)
![伝送損失パフォーマンスランク(MEGTRONシリーズ)](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_00.jpg)
伝送損失比較
![伝送損失比較](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_01.jpg)
高多層耐熱性
![高多層耐熱性](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_05.jpg)
誘電特性
![誘電特性](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_04.jpg)
はんだフロート耐熱性
![はんだフロート耐熱性](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_02.jpg)
IST(Interconnect Stress Test)
![IST(Interconnect Stress Test)](/content/data/EM/pictures/img_megtron4_03.jpg)
一般特性
項目 | 試験方法 | 条件 | 単位 | MEGTRON4 R-5725 |
MEGTRON4S R-5725S |
|
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ガラス転移温度(Tg) | DSC | A | °C | 176 | 200 | |
熱膨張係数(厚さ方向) | α1 | IPC-TM-650 2.4.24 | A | ppm/°C | 35 | 32 |
α2 | 265 | 250 | ||||
T288(銅付) | IPC-TM-650 2.4.24.1 | A | 分 | 30 | 50 | |
比誘電率(Dk) | 10GHz | IPC-TM-650 2.5.5.5 | C-24/23/50 | - | 3.8 | 3.8 |
誘電正接(Df) | 0.007 | 0.007 | ||||
銅箔引き剥がし強さ※ | 1oz(35μm) | IPC-TM-650 2.4.8 | A | kN/m | 1.1 | 1.3 |
試験片の厚さは0.8mmです。
※RT銅箔
上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。