低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON4S, MEGTRON4 | R-5725S, R-5725 - パナソニック

低伝送損失・高耐熱多層基板材料 MEGTRON4S, MEGTRON4 R-5725S, R-5725

大容量データの伝送速度の高速化に対応
高多層や基板加工時のリフロー工程に対応した耐熱性を向上(MEGTRON4S)

電子回路基板材料

品　番

MEGTRON4

Laminate R-5725S
Prepreg R-5620S

Laminate R-5725
Prepreg R-5620

用　途
詳細用途

ネットワーク

ワイヤレス通信

・ネットワーク
・ワイヤレス通信

ICTインフラ機器、スーパーコンピュータ、計測用機器、通信アンテナなど

主要特性

Dk 3.8 Df 0.007
@10GHz

Tg(DSC)
R-5725S 200°C
R-5725 176°C

T288(銅付)
R-5725S 50分
R-5725 30分

商品紹介動画

伝送損失パフォーマンス(MEGTRONシリーズ)

伝送損失パフォーマンスランク(MEGTRONシリーズ)

伝送損失比較

伝送損失比較

高多層耐熱性

高多層耐熱性

誘電特性

誘電特性

はんだフロート耐熱性

はんだフロート耐熱性

IST（Interconnect Stress Test）

IST（Interconnect Stress Test）

一般特性

項目		試験方法	条件	単位	MEGTRON4 R-5725	MEGTRON4S R-5725S
ガラス転移温度(Tg)		DSC	A	°C	176	200
熱膨張係数(厚さ方向)	α1	IPC-TM-650 2.4.24	A	ppm/°C	35	32
熱膨張係数(厚さ方向)	α2	IPC-TM-650 2.4.24	A	ppm/°C	265	250
T288(銅付)		IPC-TM-650 2.4.24.1	A	分	30	50
比誘電率(Dk)	10GHz	IPC-TM-650 2.5.5.5	C-24/23/50	－	3.8	3.8
誘電正接(Df)	10GHz	IPC-TM-650 2.5.5.5	C-24/23/50	－	0.007	0.007
銅箔引き剥がし強さ^※	1oz(35μm)	IPC-TM-650 2.4.8	A	kN/m	1.1	1.3

試験片の厚さは0.8mmです。
※RT銅箔

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。

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