半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ

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半導体パッケージの薄型化・小型化、反り低減を実現

ラインアップ

LEXCM GX Line-up

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 R-1515V R-1515K R-G535S R-G535E
ガラス転移温度(Tg) DMA※2 A °C 260 260 260 260
熱膨張係数(タテ方向) α1 社内法 A ppm/°C 3-5 7 4-6 7-8
熱膨張係数(ヨコ方向) 3-5 7 4-6 7-8
比誘電率(Dk)※1 1GHz IPC-TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 4.4 4.6 4.4 4.6
誘電正接(Df)※1 0.016 0.015 0.015 0.015
曲げ弾性率※1 JIS C 6481 25°C GPa 30 27 32-34 28-30
250°C 14 12 20-22 18-20
銅箔引き剥がし強さ 1/3oz IPC-TM-650 2.4.8 A kN/m 0.6 0.6 0.7 0.7
板厚ラインアップ mm 0.20-1.8 0.20-1.8 0.20-1.8 0.20-1.8
項目 試験方法 条件 単位 R-1515W R-1515A R-G545L R-G545E
ガラス転移温度(Tg) DMA※2 A °C 250 205 230 230
熱膨張係数(タテ方向) α1 社内法 A ppm/°C 9 12 10 10
熱膨張係数(ヨコ方向) 9 12 10 10
比誘電率(Dk)※1 1GHz IPC-TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 4.8 4.8 3.6 4.1
誘電正接(Df)※1 0.015 0.015 0.002 0.002
曲げ弾性率※1 JIS C 6481 25°C GPa 35 27 23 27
250°C 21 10 10 13
銅箔引き剥がし強さ 1/3oz IPC-TM-650 2.4.8 A kN/m 0.9 0.9 0.6 0.6
板厚ラインアップ mm 0.20-0.8 0.10-0.8 0.04-0.2 0.04-0.2
項目 試験方法 条件 単位 R-G525T R-G525F R-G515S R-G515E R-1515E
ガラス転移温度(Tg) DMA※2 A °C 270 270 220-240 220-240 270
熱膨張係数(タテ方向) α1 社内法 A ppm/°C 3-5 5-7 4-6 6-8 9
熱膨張係数(ヨコ方向) 3-5 5-7 4-6 6-8 9
比誘電率(Dk)※1 1GHz IPC-TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 4.3 4.5 4.2 4.4 4.7
誘電正接(Df)※1 0.015 0.015 0.008 0.008 0.011
曲げ弾性率※1 JIS C 6481 25°C GPa 19 16 28 24 33
250°C 5-8 7-10 18
銅箔引き剥がし強さ 1/3oz IPC-TM-650 2.4.8 A kN/m 0.6 0.6 0.7 0.7 0.9
板厚ラインアップ mm 0.04-0.2 0.04-0.2 0.03-0.1 0.03-0.1 0.04-0.2

試験片の厚さは0.1mmです。
※1 0.8mm
※2 引張りモードでの測定、R-1515W, R-1515A:曲げモードでの測定

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。

当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、 塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下