半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ : 品番

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データシート
シリーズ/タイプ ガラス転移温度(Tg):TMA
引張モードでの測定
(°C)
ガラス転移温度(Tg):DMA
引張モードでの測定
(°C)
体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90
(MΩ·cm)
ガラス転移温度(Tg):DSC ガラス転移温度(Tg):TMA
(°C)
ガラス転移温度(Tg):DMA
(°C)
熱分解温度(Td):TGA
(°C)
T288(銅無):IPC-TM-650 2.4.24.1
(min)
T288(銅付):IPC-TM-650 2.4.24.1
(min)
熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)
熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)
熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)
熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C
(W/m·K)
表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90
(MΩ)
比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 比誘電率(Dk)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 誘電正接(Df)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 誘電正接(Df)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23
(%)
曲げ弾性率 タテ方向:JIS C 6481
(GPa)
曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481
(GPa)
銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8
(kN/m (lb/inch))
耐燃性:UL法,C-48/23/50 サンプル厚さ 上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。 *1 試験方法:TMA
R-1515A/R-1410A
Low CTE IC substrate materials - - 1 x 10⁹ - 180 205 390 >120 >120 11-13 11-13 30 140 0.7 1 x 10⁸ 4.8 - - 0.015 - - 0.12 29 27 1.3(7.4) 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515E/R-1410E
High elasticity Low CTE Ultra-thin IC substrate materials 240 270 1 x 10⁹ - - - 390 >120 >120 8-10 *1 8-10 *1 22 95 0.7 1 x 10⁸ 4.7 - - 0.011 - - 0.3 35 33 0.9(5.1)
(12μm)
94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515K
Low CTE IC substrate materials Designed to Improve Reliability - 260 - - - - - - - 7 *1 7 *1 - - - - 4.6 - - 0.015 - - - - - 0.6(3.4)
(12μm)
- The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515V
Low CTE IC substrate materials Designed to Improve Reliability - 260 - - - - - - - 3-5 *1 3-5 *1 - - - - 4.4 - - 0.016 - - - - - 0.6(3.4)
(12μm)
- The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515W/R-1410W
High elasticity Low CTE IC substrate materials - - 1 x 10⁹ - 220 250 390 >120 >120 8-10 8-10 22 97 0.7 1 x 10⁸ 4.8 - - 0.015 - - 0.12 35 33 1.2(6.9) 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G535E
High modulus Low CTE IC substrate materials - - 1 x 10⁸ - 210 260 365 - - 7-8 7-8 20 100 0.55 1 x 10⁸ 4.6 - - 0.015 - - 0.15-0.20 29 28 0.6(3.4)
(12μm)
- The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G535S
High modulus Low CTE IC substrate materials - - 1 x 10⁸ - 210 260 365 - - 4-6 4-6 20 100 0.55 1 x 10⁸ 4.4 - - 0.015 - - 0.15-0.20 33 32 0.6(3.4)
(12μm)
- The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G545E/R-G540E
Ultra-low transmission loss Circuit board materials for IC substrate/Module - 230 - - 190 - 420 - - 10 *1 10 *1 22 120 0.52 - 4.1 - 4 0.002 - 0.004 0.06 - - 0.5-0.6(2.9-3.4)
(12μm)
94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G545L/R-G540L
Ultra-low transmission loss Circuit board materials for IC substrate/Module - 230 - - 190 - 420 - - 10 *1 10 *1 22 120 0.52 - 3.6 - 3.5 0.002 - 0.003 0.06 - - 0.5-0.6(2.9-3.4)
(12μm)
94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -