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半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ : 品番

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データシート		 シリーズ／タイプ ガラス転移温度(Tg):DSC ガラス転移温度(Tg):TMA
(°C) 		ガラス転移温度(Tg):TMA
引張モードでの測定
(°C) 		ガラス転移温度(Tg):DMA
(°C) 		ガラス転移温度(Tg):DMA
引張モードでの測定
(°C) 		熱分解温度(Td):TGA
(°C) 		体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90
(MΩ·cm)		 比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 比誘電率(Dk)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50 		誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 誘電正接(Df)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 誘電正接(Df)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50 		T288（銅無）:IPC-TM-650 2.4.24.1
(min)		 T288（銅付）:IPC-TM-650 2.4.24.1
(min)		 熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)		 熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)		 熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)		 熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24
(ppm/°C)		 熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C
(W/m·K)		 表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90
(MΩ)		 吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23
(%)		 曲げ弾性率 タテ方向:JIS C 6481
(GPa)		 曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481
(GPa)		 銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8
(kN/m (lb/inch))		 耐燃性:UL法,C-48/23/50 サンプル厚さ 上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。 *1 試験方法:TMA
R-1515A/R-1410A
 Low CTE IC substrate materials - 180 - 205 - 390 1 x 10⁹ 4.8 - - 0.015 - - >120 >120 11-13 11-13 30 140 0.7 1 x 10⁸ 0.12 29 27 1.3(7.4) 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515E/R-1410E
 High elasticity Low CTE Ultra-thin IC substrate materials - - 240 - 270 390 1 x 10⁹ 4.7 - - 0.011 - - >120 >120 8-10 *1 8-10 *1 22 95 0.7 1 x 10⁸ 0.3 35 33 0.9(5.1)
(12μm)		 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515K
 Low CTE IC substrate materials Designed to Improve Reliability - - - - 260 - - 4.6 - - 0.015 - - - - 7 *1 7 *1 - - - - - - - 0.6(3.4)
(12μm)		 - The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515V
 Low CTE IC substrate materials Designed to Improve Reliability - - - - 260 - - 4.4 - - 0.016 - - - - 3-5 *1 3-5 *1 - - - - - - - 0.6(3.4)
(12μm)		 - The sample thickness is depending on the test method. - -
R-1515W/R-1410W
 High elasticity Low CTE IC substrate materials - 220 - 250 - 390 1 x 10⁹ 4.8 - - 0.015 - - >120 >120 8-10 8-10 22 97 0.7 1 x 10⁸ 0.12 35 33 1.2(6.9) 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G535E
 High modulus Low CTE IC substrate materials - 210 - 260 - 365 1 x 10⁸ 4.6 - - 0.015 - - - - 7-8 7-8 20 100 0.55 1 x 10⁸ 0.15-0.20 29 28 0.6(3.4)
(12μm)		 - The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G535S
 High modulus Low CTE IC substrate materials - 210 - 260 - 365 1 x 10⁸ 4.4 - - 0.015 - - - - 4-6 4-6 20 100 0.55 1 x 10⁸ 0.15-0.20 33 32 0.6(3.4)
(12μm)		 - The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G545E/R-G540E
 Ultra-low transmission loss Circuit board materials for IC substrate/Module - 190 - - 230 420 - 4.1 - 4 0.002 - 0.004 - - 10 *1 10 *1 22 120 0.52 - 0.06 - - 0.5-0.6(2.9-3.4)
(12μm)		 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
R-G545L/R-G540L
 Ultra-low transmission loss Circuit board materials for IC substrate/Module - 190 - - 230 420 - 3.6 - 3.5 0.002 - 0.003 - - 10 *1 10 *1 22 120 0.52 - 0.06 - - 0.5-0.6(2.9-3.4)
(12μm)		 94V-0 The sample thickness is depending on the test method. - -
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