半導体パッケージ・モジュール基板向け超低損失材料 | R-G545L, R-G545E

半導体パッケージ・モジュール基板向け超低損失材料 R-G545

 

 

  1. パッケージ用材料として業界最高レベルの低Df特性を実現。
  2. 高周波帯・高温高湿環境下でも特性が安定。

電子回路基板材料

  • 品 番

Low Dk glass cloth

Laminate R-G545L
Prepreg R-G540L

Normal glass cloth

Laminate R-G545E
Prepreg R-G540E

  • 用 途
  • 詳細用途
半導体パッケージ
・半導体パッケージ
基地局向け半導体パッケージ基板、モジュール部分など

主要特性

Df 0.003 Dk 3.5
@12GHz
CTE x, y-axis
10ppm/℃
Tg (DMA)
230℃

広周波帯域での誘電正接

Df at Wide-frequency band

高温・高湿環境下におけるの誘電正接 (130℃ 85%, 1000時間)

Df under Severe condition (130℃ 85%, 1000hours)

伝送損失比較

Frequency dependence by Transmission loss

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 R-G545L
低誘電率ガラスクロス仕様
R-G545E
一般ガラスクロス仕様
ガラス転移温度(Tg) DMA A 230 230
熱膨張係数(タテ・ヨコ方向) α1 社内法 A ppm/℃ 10 10
熱膨張係数(厚さ方向) IPC-TM-650 2.4.24 22 22
比誘電率(Dk) 12GHz 平衡形円板共振法 A 3.5 4.0
誘電正接(Df) 0.003 0.004
吸水率 IPC-TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.06 0.06
銅箔引き剥がし強さ 1/3oz(12µm) IPC A kN/m
(lb/inch)
0.6 0.6

試験片の厚さは0.1mmです。
※ DMA:引張りモードでの測定

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。
当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003の定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、 塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下

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