半導体パッケージ・モジュール基板向け超低損失材料 | R-G545L, R-G545E

半導体パッケージ・モジュール基板向け超低損失材料 R-G545

 

  1. 業界最高レベルの低Dk/Dfと低CTEを両立し、デバイスの進化に貢献。
  2. 高周波帯・高温高湿環境下でも特性が安定。

電子回路基板材料

  • 品 番

Low Dk glass cloth

Laminate R-G545L
Prepreg R-G540L

Normal glass cloth

Laminate R-G545E
Prepreg R-G540E

Halogen-free
  • 用 途
  • 詳細用途
半導体パッケージ
・半導体パッケージ
基地局向け半導体パッケージ基板、モジュール部分など

主要特性

Dk 3.5 Df 0.003
@12GHz
CTE x, y-axis 10ppm/°C
CTE z-axis 22ppm/°C
Tg (DMA)
230°C

広周波帯域での誘電正接

広周波帯域での誘電正接

伝送損失比較

伝送損失比較

TMAxy

TMAxy

TMAz

TMAz

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 LEXCM GX
R-G545L
低誘電率ガラスクロス仕様
LEXCM GX
R-G545E
一般ガラスクロス仕様
ガラス転移温度(Tg) DMA A °C 230 230
熱膨張係数(タテ・ヨコ方向) α1 社内法 A ppm/°C 10 10
熱膨張係数(厚さ方向) IPC-TM-650 2.4.24 22 22
比誘電率(Dk) 12GHz 平衡形円板共振法 A 3.5 4.0
誘電正接(Df) 0.003 0.004
吸水率 IPC-TM-650 2.6.2.1 D-24/23 % 0.06 0.06

試験片の厚さは0.1mmです。
※引張りモードでの測定

当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003などの定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt%(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt%(900ppm)以下、塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt%(1500ppm)以下

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。

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