高耐熱・低熱膨張多層基板材料 <High-Tgタイプ> HIPER D | R-1755D

高耐熱(High-Tg)多層基板材料 HIPER D

 

  1. 低温高温の温度サイクルでも接続信頼性に優れ、はんだ接続信頼性を向上
  2. 絶縁信頼性に優れており、高電圧用途にも適用可

電子回路基板材料

  • 品 番

高耐熱・低熱膨張多層基板材料
<High-Tgタイプ>

Laminate R-1755D
Prepreg R-1655D

  • 用 途
  • 詳細用途
ネットワーク
・オートモーティブ
車載ECU など

主要特性

Tg (DSC)
163℃
Td (TGA)
345℃
CTE x-axis
10-12ppm/℃

ガラス転移温度(Tg) ポジショニング

ガラス転移温度(Tg) ポジショニング

スルーホール導通信頼性

スルーホール導通信頼性

絶縁信頼性

絶縁信頼性

一般特性

項目 試験方法 条件 単位   HIPER D  
R-1755D
  当社汎用  
FR-4
R-1766
ガラス転移温度 (Tg) DSC A 163 140
熱分解温度 (Td) TG/DTA A 345 315
熱膨張係数(タテ方向) α1 IPC TM-650
2.4.41
A ppm/℃ 10-12 11-13
熱膨張係数(ヨコ方向) α1 12-14 13-15
熱膨張係数(厚さ方向) α1 IPC TM-650
2.4.24
A ppm/℃ 43 65
α2 236 270
T288(銅付) IPC TM-650
2.4.24.1
A min 15 1
比誘電率 (Dk) 1GHz IPC TM-650
2.5.5.9
C-24/23/50 4.4 4.3
誘電正接 (Df) 1GHz IPC TM-650
2.5.5.9
C-24/23/50 0.016 0.016
吸水率 IPC TM-650
2.6.2.1
D-24/23 % 0.11 0.14
曲げ弾性率 タテ方向 JIS C6481 A GPa 23 23
  ヨコ方向 21 21
銅箔引き剥がし強さ 1oz
(35μm)
IPC TM-650
2.4.8
A kN/m 1.3 2.0
耐燃性 UL 94V-0 94V-0

試験片の厚さは0.75mmです。
※R-5785(GN), R-5785(GE): H-VLP2, その他: H-VLP銅箔

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。