- 薄型多層化、ビルドアップ工程の簡略化を可能とし、モバイル機器やモジュールの薄型化・小型化に貢献
- 優れた成形性で、より表層が平滑な3層フレキシブル回路基板を実現
電子回路基板材料
- 品 番
R-FR10
- 用 途
- 詳細用途
- モバイル
スマートフォン(メイン基板、サブ基板、モジュール基板)など
主要特性
薄型多層化
ビルドアップ工程 簡略化
表面平滑性に優れる
コンセプト
基板の薄型多層化が可能なため製造工数の簡素化が可能
薄型多層化
リジットフレックスの薄型化が可能
表面平滑性
成型後の表面の平滑性
一般特性
| 項目 | 試験方法 | 条件 | 単位 | FELIOS FRCC R-FR10 |
|
|---|---|---|---|---|---|
| ガラス転移温度(Tg) | 社内法(DMA) | A | °C | 70,210(Ad) / 320(PI) | |
| 社内法(TMA) | A | °C | 190(Ad) / 270(PI) | ||
| 熱膨張係数(タテ/ヨコ方向) | α1 | 社内法(TMA) | A | ppm/°C | 80(Ad) / 25(PI) |
| α2 | 580(Ad) / 25(PI) | ||||
| 熱膨張係数(厚さ方向) | α1 | 社内法(TMA) | A | ppm/°C | 210(Ad) / - (PI) |
| α2 | 210(Ad) / - (PI) | ||||
| 比誘電率(Dk) | 1GHz | IPC-TM-650 2.5.5.9 | A | － | 3.0(Ad) / 3.3(PI) |
| 2GHz | 3.0(Ad) / 3.2(PI) | ||||
| 誘電正接(Df) | 1GHz | 0.019(Ad) / 0.010(PI) | |||
| 2GHz | 0.020(Ad) / 0.010(PI) | ||||
| はんだ耐熱性 | JIS C 6481 | A | － | 異常なし | |
| 260°C はんだ 1分フロート | |||||
| 引き剥がし強さ | 銅箔:0.012mm(12μm) | JIS C 6481 | A | N/mm | 0.8 |
| 体積抵抗率 | JIS C 6481 | C-96/20/65 | MΩ·m | 1×108 | |
| C-96/20/65+C-96/40/90 | 9×107 | ||||
| 表面抵抗 | JIS C 6481 | C-96/20/65 | MΩ | 3×108 | |
| C-96/20/65+C-96/40/90 | 1×108 | ||||
| 吸水率 | 社内法 | E-24/50+D-24/23 | % | 1.2 | |
| 耐燃性 | UL | A および E-168/70 | － | 94VTM-0※1 | |
| 耐アルカリ性 | 社内法 | 40℃ 3%NaOH溶液に 3分間浸漬 |
－ | 異常なし | |
| 弾性率 | 社内法 | C-24/23/50 | GPa | 1.0(Ad)/4.0(PI) | |
| 耐折性 | MIT試験※2 | 0.5kgφ0.38, 175cpm, 135° | 回 | >150 | |
試験片の厚さは銅箔12μｍ, フィルム層3μｍ, 接着剤17μmです。
※1 R-FR10/R-F775 25μm/R-FR10構成
※2 R-FR10で両側をカバーしたR-F775 25μm上の18μmED箔を評価
当社のハロゲンフリー材料は、JPCA-ES-01-2003などの定義に拠るものです。
含有率が塩素(Cl):0.09wt％(900ppm)以下、臭素(Br):0.09wt％(900ppm)以下、塩素(Cl)+臭素(Br):0.15wt％(1500ppm)以下
上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。
