R-1755V : ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

商品名

ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

シリーズ／タイプ

HIPER V Highly heat resistant Low CTE Multi-layer circuit board materials

品番

R-1755V

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データシート

はじめに注意事項を必ずお読みください

特性値

項目	内容
ガラス転移温度(Tg):DSC (°C)	173
ガラス転移温度(Tg):TMA (°C)	165
ガラス転移温度(Tg):DMA (°C)	190
熱分解温度(Td):TGA (°C)	350
T288（銅無）:IPC-TM-650 2.4.24.1 (min)	>120
T288（銅付）:IPC-TM-650 2.4.24.1 (min)	20
熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C)	11-13
熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C)	13-15
熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C)	44
熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C)	255
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K)	0.53
体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm)	1 x 10⁹
表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ)	1 x 10⁸
比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50	4.4
比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50	-
比誘電率(Dk)@12GHz:平衡型円板 共振器法,C-24/23/50	4.3
比誘電率(Dk)@14GHz:平衡型円板 共振器法,C-24/23/50	-
誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50	0.016
誘電正接(Df)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50	0.02
誘電正接(Df)@12GHz:平衡型円板 共振器法,C-24/23/50	-
誘電正接(Df)@14GHz:平衡型円板 共振器法,C-24/23/50	-
吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23 (%)	0.12
曲げ弾性率 タテ方向:JIS C 6481 (GPa)	24
曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481 (GPa)	22
銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m (lb/inch))	1.5(8.6)
銅箔引き剥がし強さ 1oz(H-VLP3):IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m)	-
耐燃性:UL法,C-48/23/50	94V-0
サンプル厚さ	0.8mm
上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。	-
*1 試験方法:TMA	-

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ドキュメント

[カタログ/データシート]

カタログHIPER-V_R-1755V_2022.pdf(173KB)

データシート_HIPER-V_R-1755V_2019.pdf(142KB)

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