商品一覧

R-G535E : 半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ

商品名
半導体パッケージ向け基板材料「LEXCM GX」シリーズ

シリーズ／タイプ
High modulus Low CTE IC substrate materials

品番
R-G535E

拡大
写真：R-G535E
項目 内容
ガラス転移温度(Tg):DSC -
ガラス転移温度(Tg):TMA (°C) 210
ガラス転移温度(Tg):TMA
引張モードでの測定 (°C)		 -
ガラス転移温度(Tg):DMA (°C) 260
ガラス転移温度(Tg):DMA
引張モードでの測定 (°C)		 -
熱分解温度(Td):TGA (°C) 365
T288（銅無）:IPC-TM-650 2.4.24.1 (min) -
T288（銅付）:IPC-TM-650 2.4.24.1 (min) -
熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 7-8
熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 7-8
熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 20
熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 100
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K) 0.55
体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm) 1 x 10⁸
表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ) 1 x 10⁸
比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 4.6
比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 -
比誘電率(Dk)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50		 -
誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 0.015
誘電正接(Df)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 -
誘電正接(Df)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50		 -
吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23 (%) 0.15-0.20
曲げ弾性率 タテ方向:JIS C 6481 (GPa) 29
曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481 (GPa) 28
銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m (lb/inch)) 0.6(3.4)
(12μm)
耐燃性:UL法,C-48/23/50 -
サンプル厚さ The sample thickness is depending on the test method.
上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。 -
*1 試験方法:TMA -