APEC 2019 GaN/SiCパワーデバイス関連製品 出展内容のご案内

会期終了:この度はパナソニックブースに多数のご来場をいただき誠にありがとうございました。

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■ 会期:2019年3月18日(月)~20日(水)
■ 会場:ANAHEIM CONVENTION CENTER
   (カリフォルニア州・アナハイム)
「APEC 2019」公式ホームページ
パナソニックブース:Booth 913

パナソニックブースでは、既存材料であるSi(シリコン)の物理限界を超える低損失特性を持つGaN(窒化ガリウム)/SiC(炭化ケイ素)の要素技術をベースに、デバイス単品、ソリューション、アプリケーション事例を出展、電気機器の小型化、省エネルギー化につながる製品を提案します。

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米国のパワーエレクトロニクス展示会
「APEC 2019」にパナソニックのGaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展


「APEC 2019」パナソニックブース イメージ

主な出展内容

GaN/SiCパワーデバイス関連製品 内容紹介
X-GaN™パワーデバイス、X-GaN™ ソリューション パナソニックの耐圧600VのGaNパワーデバイス「X-GaN™」 は、独自のデバイス構造を採用し、ノーマリーオフ化と電流コラプスフリーを実現し、電源の小型化と高効率化に貢献します。この高いX-GaNの性能を最大限に活かすことができる、産業向けサブシステムや、アプリケーションデモ、および評価環境も出展します。
SiC-DioMOSデバイス、SiC搭載モジュール パナソニックのSiC-DioMOSは、パナソニック独自のDioMOS(Diode-integrated MOSFET)構造により、電源やインバータに必要な還流ダイオードの機能をトランジスタに付加することでSiC搭載モジュールを小型化することが可能です。本展示会では、SiC-DioMOSを内蔵したモジュールも出展します。
GaN双方向スイッチ(参考出展) パナソニック独自のデバイス構造の採用により、1素子で電流の双方向通電・単方向通電・遮断を実現する双方向スイッチを提供します。このGaN双方向スイッチを駆動できる、小型のDBM(Drive-by-Microwave)絶縁ゲートドライバを同時に展示します。素子数の削減および導通損失の大幅な低減が実現でき、電力変換回路の小型化、高効率化に貢献します。

GaN双方向スイッチ搭載ボード

出展者セミナー

■ 日時:3月19日(火)15:00~15:30
■ 場所:ANAHEIM CONVENTION CENTER Session Room: 303AB
■ タイトル:“X-GaN Power Transistor Breakdown Mechanisms.”

商品に関するお問い合わせ

・GaNパワーデバイス関連製品について
パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社

出展品関連情報

・X-GaN™パワーデバイス
[商品紹介] GaNパワーデバイス

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パナソニックデバイス販売アメリカ