会期終了：この度はパナソニックブースに多数のご来場をいただき誠にありがとうございました。
■ 会期：2019年3月18日(月)～20日(水)
■ 会場：ANAHEIM CONVENTION CENTER
（カリフォルニア州・アナハイム）
■ 「APEC 2019」公式ホームページ
■ パナソニックブース：Booth 913
パナソニックブースでは、既存材料であるSi（シリコン）の物理限界を超える低損失特性を持つGaN（窒化ガリウム）／SiC（炭化ケイ素）の要素技術をベースに、デバイス単品、ソリューション、アプリケーション事例を出展、電気機器の小型化、省エネルギー化につながる製品を提案します。
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米国のパワーエレクトロニクス展示会
「APEC 2019」にパナソニックのGaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展
「APEC 2019」パナソニックブース イメージ
主な出展内容
| GaN/SiCパワーデバイス関連製品 | 内容紹介 |
|---|---|
| X-GaN™パワーデバイス、X-GaN™ ソリューション | パナソニックの耐圧600VのGaNパワーデバイス「X-GaN™」 は、独自のデバイス構造を採用し、ノーマリーオフ化と電流コラプスフリーを実現し、電源の小型化と高効率化に貢献します。この高いX-GaNの性能を最大限に活かすことができる、産業向けサブシステムや、アプリケーションデモ、および評価環境も出展します。 |
| SiC-DioMOSデバイス、SiC搭載モジュール | パナソニックのSiC-DioMOSは、パナソニック独自のDioMOS（Diode-integrated MOSFET）構造により、電源やインバータに必要な還流ダイオードの機能をトランジスタに付加することでSiC搭載モジュールを小型化することが可能です。本展示会では、SiC-DioMOSを内蔵したモジュールも出展します。 |
| GaN双方向スイッチ（参考出展） | パナソニック独自のデバイス構造の採用により、1素子で電流の双方向通電・単方向通電・遮断を実現する双方向スイッチを提供します。このGaN双方向スイッチを駆動できる、小型のDBM（Drive-by-Microwave）絶縁ゲートドライバを同時に展示します。素子数の削減および導通損失の大幅な低減が実現でき、電力変換回路の小型化、高効率化に貢献します。
 GaN双方向スイッチ搭載ボード |
出展者セミナー
■ 日時：3月19日（火）15：00～15：30
■ 場所：ANAHEIM CONVENTION CENTER Session Room: 303AB
■ タイトル：“X-GaN Power Transistor Breakdown Mechanisms.”
出展品関連情報
パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社
パナソニックデバイス販売アメリカ