高耐熱・低熱膨張多層基板材料 <High-Tgタイプ> HIPER V | R-1755V

高耐熱・低熱膨張多層基板材料 <High-Tgタイプ> HIPER V R-1755V

 

  1. スタンダード領域の伝送ロスを有しており、MEGTRON シリーズとのハイブリットが可能

電子回路基板材料

  • 品 番

Laminate R-1755V
Prepreg R-1650V

  • 用 途
  • 詳細用途
ネットワーク
・ネットワーク
ICT インフラ機器、計測機器など
宇宙曝露実験プロジェクト 特設サイト

主要特性

Dk 4.4 Df 0.016
@1GHz
Tg(DSC)
173°C
T288(銅付)
20分

IST(Interconnect Stress Test)

IST(Interconnect Stress Test)

はんだフロート耐熱性

はんだフロート耐熱性

一般特性

項目試験方法条件単位HIPER V
R-1755V
ガラス転移温度(Tg)DSCA°C173
熱膨張係数(厚さ方向)α1IPC TM-650 2.4.24Appm/°C44
α2255
T288(銅付)IPC TM-650 2.4.24.1A20
比誘電率(Dk)1GHzIPC TM-650 2.5.5.9C-24/23/504.4
誘電正接(Df)0.016
銅箔引き剥がし強さ1oz(35μm)IPC TM-650 2.4.8AkN/m1.5

試験片の厚さは0.8mmです。

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。

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