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高耐熱・低熱膨張多層基板材料 <High-Tgタイプ> HIPER V | R-1755V

高耐熱・低熱膨張多層基板材料 <High-Tgタイプ> HIPER V R-1755V

 

  1. スタンダード領域の伝送ロスを有しており、MEGTRON シリーズとのハイブリットが可能

電子回路基板材料

  • 品　番

Laminate R-1755V
Prepreg R-1650V

  • 用　途
  • 詳細用途
ネットワーク
・ネットワーク
ICT インフラ機器、計測機器など

パナソニック 電子材料

主要特性

Dk 4.4 Df 0.016
@1GHz
Tg(DSC)
173°C
T288(銅付)
20分

IST(Interconnect Stress Test)

IST(Interconnect Stress Test)

はんだフロート耐熱性

はんだフロート耐熱性

一般特性

項目 試験方法 条件 単位 HIPER V
R-1755V
ガラス転移温度(Tg) DSC A °C 173
熱膨張係数(厚さ方向) α1 IPC TM-650 2.4.24 A ppm/°C 44
α2 255
T288(銅付) IPC TM-650 2.4.24.1 A 分 20
比誘電率(Dk) 1GHz IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 － 4.4
誘電正接(Df) 0.016
銅箔引き剥がし強さ 1oz(35μm) IPC TM-650 2.4.8 A kN/m 1.5

試験片の厚さは0.8mmです。

上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。