| ガラス転移温度(Tg):TMA(Ad) (°C) |
- |
ガラス転移温度(Tg):DMA
引張モードでの測定(Ad) (°C) |
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| 熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) |
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| 熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) |
- |
| 熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) |
- |
| 熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) |
- |
| 体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm) |
- |
| 比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 (Ad) |
- |
| 誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 (Ad) |
- |
| 吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23 (%) |
- |
| 銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m (lb/inch)) |
- |
| 耐燃性:UL法,A+E-168/70 |
- |
| サンプル厚さ |
- |
| *1 条件:C-96/20/65,単位:MΩ·m |
- |
| *2 条件:E-24/50+D-24/23 |
- |
| *3 R-FR10/R-F775 25μm/R-FR10構成 |
- |
| 銅箔種類 |
ED |
| 銅箔品番 |
TP4-S |
| 銅箔厚み (µm) |
12 |
| フイルム厚み (µm) |
75 |
| 板厚 (µm) |
99 |
| ピール強度.90°:JIS C 6471.A (mm) |
0.75 |
| ピール強度.90°:JIS C 6471.260℃ Solder 5sec (mm) |
0.75 |
| 寸法安定性.MD:IPC-TM-650.After Etching (%) |
0.021 |
| 寸法安定.TD:IPC-TM-650.After Etching (%) |
0.006 |
| 寸法安定.MD:IPC-TM-650.Ｅ-0.5/150 (%) |
0.028 |
| 寸法安定.TD:IPC-TM-650.Ｅ-0.5/150 (%) |
0.004 |
| はんだ耐熱性:JIS C 6471.A (°C) |
310 |
| はんだ耐熱性:JIS C 6471.C-96/40/90 (°C) |
290 |
| 耐折性試験:JIS C 6471.0.38R×4.9N,MD |
22 |
| 耐折性試験:JIS C 6471.0.38R×4.9N,TD |
16 |
| 弾性率:IPC-TM-650 (GPa) |
4.5 |
熱膨張係数.MD:TMA 100℃→250℃，
5℃/min (ppm/K) |
18 |
熱膨張係数.TD:TMA 100℃→250℃，
5℃/min (ppm/K) |
18 |
| 比誘電率(Dk) at 1MHz:IPC-TM-650 2.5.5.5.A |
- |
| 比誘電率(Dk) at 2GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5.A |
- |
| 比誘電率(Dk) at 10GHz:Cavity resonance.A |
3.3 |
| 誘電正接(Df) at 1MHz:IPC-TM-650 2.5.5.5.A |
- |
| 誘電正接(Df) at 2GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5.A |
- |
| 誘電正接(Df) at 10GHz:Cavity resonance.A |
0.002 |
| 絶縁抵抗:JIS C 6471.A (Ω) |
＞1.0×10^14 |
| 絶縁抵抗:JIS C 6471.C-96/40/90 (Ω) |
＞1.0×10^14 |
| 吸水率.IPC-TM-650:JIS C 6471.C-24/23/50 (%) |
- |
| 吸水率:JIS C 6471.C-24/23/50 (%) |
0.04 |
| 吸湿率.IPC-TM-650:C-24/23/50 (%) |
- |
| ガラス転移温度(Tg):DMA.A (°C) |
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| 耐燃性:UL 94 |
VTM-0 |
※これらは実測データであり、性能を保証するものではありません。
上記項目の試験方法はパナソニック社内規格により定められております。 |
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