| ガラス転移温度(Tg):TMA,昇温10°C/分 (°C) |
140 |
| はんだ耐熱性:JIS C6481,はんだフロート 260°C 2分 |
No abnormality |
| 耐熱性,1oz:JIS C6481 |
230°C 60min |
| 比誘電率 (Dk):1MHz,JIS C 6481 |
5.1 |
| 誘電正接 (Df):1MHz,JIS C 6481 |
0.016 |
| 絶縁抵抗:JIS C6481,C-96/20/65 (MΩ) |
1x108 |
| 耐トラッキング性:IEC 60112 (V) |
CTI≥600 |
| 熱伝導率:レーザーフラッシュ法 (W/m·K) |
1.10 |
| 貫層耐電圧:ASTM D149 (kV/mm) |
43 |