プラズマ源について

ドライエッチングの基礎と応用 原理 装置の構成 要素技術 材料・デバイス別SEM写真 プラズマ源について
ICPマークICP
従来のICPに加えて、Advanced-ICP(誘導結合型プラズマ源)を新たに開発。
MSC方式のAdvanced-ICP
Advanced-ICP Advanced-ICPの構成
高精度:低圧力・高密度プラズマにより微細加工、高アスペクト比エッチングが可能。
●プラズマ密度:(~1012cm-3) ●プラズマ均一性:(±4.0%)
高能率:低インダクタンスの誘導コイルにより、高いパワー効率を実現。
●マッチング特性に優れ、大面積プラズマを容易に発生
●シングルスパイラル方式の1.5倍以上の効率性
■Advanced-ICPイオン飽和電流密度分布 ■Advanced-ICPイオン飽和電流密度パワー依存性
イオン飽和電流密度分布グラフ ICPイオン飽和電流密度パワー依存性グラフ
低ダメージ:磁界レスの高均一性プラズマ、低ダメージエッチングが可能。
イージーコントロール:プラズマ密度とイオンエネルギーを独自にコントロールできるので、プロセス条件出しが容易。
長寿命:立ファラデーシールド兼用の独自ヒータ採用により、トップウィンドウのスパッタリングによる摩耗を低減。
※1:三相 220 / 380 / 400 / 420 / 480 Vも対応
※2:本体のみ
※3:ダイレクトトレイフィーダー装着時D寸法 2 765 mm
※4:モニター、シグナルタワーを除く
※5:標準構成:一括交換台車含まず。オプション構成により異なります。
※装着タクトおよび精度などの値は、条件により多少異なる場合があります。
※詳細は『仕様説明書』を参照願います。