R-1755V : ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

商品名
ICTインフラ機器用 多層基板材料「MEGTRON」シリーズ

シリーズ/タイプ
HIPER V Highly heat resistant Low CTE Multi-layer circuit board materials

品番
R-1755V

拡大
写真:R-1755V
項目 内容
ガラス転移温度(Tg):DSC (°C) 173
ガラス転移温度(Tg):TMA (°C) 165
ガラス転移温度(Tg):DMA (°C) 190
熱分解温度(Td):TGA (°C) 350
T288(銅無):IPC-TM-650 2.4.24.1 (min) >120
T288(銅付):IPC-TM-650 2.4.24.1 (min) 20
熱膨張係数: α1 タテ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 11-13
熱膨張係数:α1 ヨコ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 13-15
熱膨張係数:α1 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 44
熱膨張係数:α2 厚さ方向,IPC-TM-650 2.4.24 (ppm/°C) 255
熱伝導率:レーザーフラッシュ法,25˚C (W/m·K) 0.53
体積抵抗率:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ·cm) 1 x 10⁹
表面抵抗:IPC-TM-650 2.5.17.1,C-96/35/90 (MΩ) 1 x 10⁸
比誘電率(Dk))@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 4.4
比誘電率(Dk)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 -
比誘電率(Dk)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
4.3
比誘電率(Dk)@14GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
-
誘電正接(Df)@1GHz:IPC-TM-650 2.5.5.9,C-24/23/50 0.016
誘電正接(Df)@10GHz:IPC-TM-650 2.5.5.5,C-24/23/50 0.02
誘電正接(Df)@12GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
-
誘電正接(Df)@14GHz:平衡型円板
共振器法,C-24/23/50
-
吸水率:IPC-TM-650 2.6.2.1,D-24/23 (%) 0.12
曲げ弾性率 タテ方向:JIS C 6481 (GPa) 24
曲げ弾性率 ヨコ方向:JIS C 6481 (GPa) 22
銅箔引き剥がし強さ 1oz:IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m (lb/inch)) 1.5(8.6)
銅箔引き剥がし強さ 1oz(H-VLP3):IPC-TM-650 2.4.8 (kN/m) -
耐燃性:UL法,C-48/23/50 94V-0
サンプル厚さ 0.8mm
上記データは当社測定による代表値であり、保証値ではありません。 -
*1 試験方法:TMA -