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混載実装（ミックステクノロジー）：高度なパッケージ部品へのワンプラットフォームソリューション
IPAC
IPAC：半導体や電子部品の混載実装を一つのプラットフォームで実現

IPAC-DA/FW
特長
追加情報
高剛性プラットフォームにデュアルレーン/デュアルヘッドを採用し高精度/高生産性を実現
CAEおよび熱解析に基づき、制振性に優れた高剛性フレームを採用しています。
新開発の温度補正機能により、様々な加熱プロセスにおいて高精度実装を維持します。
デュアルレーン/デュアルヘッド採用により基板搬送時のヘッド待機時間をなくすことで、高生産性を実現します。
一つのウエハーからデュアルレーン/デュアルヘッドで交互吸着させ、ヘッド待機時間を抑えた高生産性を実現します。
φ300 mmウエハー対応および独自の ピックアップ方式で薄型ダイ実装を実現
SEMIに準拠したφ300 mmウエハー供給に対応（オプション）しています。（装置前面から供給）
独自のエジェクター機構の搭載（オプション）と低荷重吸着ノズルの組合せにより、薄型ダイのダメージレスピックアップを実現します。
※ウエハーフレーム用マガジンはお客様でご用意ください。
各種工法ユニットの組合せで幅広いベアチッププロセスに対応
荷重コントロールが可能な高精度3ノズルヘッド・基板加熱（オプション）を組み合わせることで、お客様の対象製品に応じた幅広いベアチップ工法に対応が可能です。
フリップチッププレーサーは、反転プロセスを品種データで切換えできるため、ダイアタッチとしての使用も可能です。
仕様
機種名 IPAC-DA IPAC-FW
品番 ※1 NM-EJM6C、NM-MH50 NM-EJM8C、NM-MH80
キャリアー寸法（mm）※2 L 220 × W 29 〜 L 323 × W 146
生産性 4 000 cph (ドライサイクル) 3 000 cph (ドライサイクル)
ボンディング精度 XY ±25 μm （Cpk≧1） XY ±10 μm （Cpk≧1）※4
ダイ寸法（mm） L 5 × W 5 〜 L 20 × W 20 □5 mm未満は別途御相談ください。（個別対応）
供給形態 φ300 mm （オプション）/ φ200 mm ウエハー
電源 三相 AC 200 / 208 / 380 / 415 / 480 V、 5.8 kVA
空圧源 0.49 MPa、 100 L /min（A.N.R.）
真空源 −0.093 MPa、 300 L/min（A.N.R.）1系統および 200 L/min（A.N.R.）1系統、
真空源は、お客様にて準備願います。
設備寸法（mm）※3 W 980 × D 2 285 × H 1 650
質量 2 060 kg（本体のみ） 2 100 kg（本体のみ）
※1:IPAC-DAは、安全規格としてCEマーク対応（品番 NM-EJM6C）又は、SEMI規格対応（品番 NM-MH50）のいずれかを、ご選択頂きます。IPAC-FWは、安全規格としてCEマーク対応（品番 NM-EJM8C）又は、SEMI規格対応（品番 NM-MH80）のいずれかを、ご選択頂きます。
※2：キャリアーによる基板搬送を標準としております。
※3：操作盤、シグナルタワーを除く
※4：C4カメラによるパターンマッチング時
※生産性および精度などの値は、条件により多少異なる場合があります。
※詳細は『仕様説明書』を参照願います。