電子デバイス・産業用機械
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ドライエッチング装置
プラズマ源について
ドライエッチングの基礎と応用 原理 装置の構成 要素技術 材料・デバイス別SEM写真 プラズマ源について

 

ICPマークICP
従来のICPに加えて、Advanced-ICP(誘導結合型プラズマ源)を新たに開発。
MSC方式のAdvanced-ICP
Advanced-ICP Advanced-ICPの構成
高精度:低圧力・高密度プラズマにより微細加工、高アスペクト比エッチングが可能。
●プラズマ密度:(〜1012cm-3) ●プラズマ均一性:(±4.0%)
高能率:低インダクタンスの誘導コイルにより、高いパワー効率を実現。
●マッチング特性に優れ、大面積プラズマを容易に発生
●シングルスパイラル方式の1.5倍以上の効率性

■Advanced-ICPイオン飽和電流密度分布 ■Advanced-ICPイオン飽和電流密度パワー依存性
イオン飽和電流密度分布グラフ ICPイオン飽和電流密度パワー依存性グラフ
低ダメージ:磁界レスの高均一性プラズマ、低ダメージエッチングが可能。
イージーコントロール:プラズマ密度とイオンエネルギーを独自にコントロールできるので、プロセス条件出しが容易。
長寿命:立ファラデーシールド兼用の独自ヒータ採用により、トップウィンドウのスパッタリングによる摩耗を低減。